перейти к полному списку дипломных проектов
Ссылка на скачивания файла в формате .doc находится в конце странички
3.3 Выходные цепи.
Способ получения выходных напряжений одинаковый почти во всех схемах. Основной (общий) способ заключается в выпрямлении и сглаживании импульсных ЕДС с вторичных обмоток импульсного силового трансформатора. При этом выпрямление во всех двухтактных схемах осуществляется по двухполупериодной схеме со средней точкой. Этим обеспечивается симметричный режим перемагничивания сердечника импульсного трансформатора, так как через вторичные обмотки протекает только переменный ток и, соответственно, отсутствует вынужденное подмагничивание сердечника, что неминуемо в однополупериодных схемах выпрямление, где ток протекает через вторичную обмотку трансформатора только в одном направлении.
Так как все схемы реализованы приблизительно одинаково, будет достаточно рассмотреть и описать работу одной схемы (+12В).
Когда сквозь первичную обмотку 1-2 силового трансформатора Т1 протекает линейно нарастающий ток, на вторичной обмотке 3-4 действует ЕДС постоянного уровня. Полярность ЕДС такая, что на выводе 3 присутствует позитивный потенциал ЕДС относительно корпуса. На выводе 4 этот потенциал будет негативным. Поэтому линейно нарастающий ток протекает по цепи: 3 T1-верхний диод в диодной сборке VD9 – обмотка W1 дроссель групповой стабилизации L5 – дроссель L6 – конденсатор С12 – корпус 7 Т1.
Нижний диод сборки на этом интервале закрыт негативным напряжением на аноде, и ток сквозь него не протекает.
Кроме подзарядки конденсатора С12 происходит передача энергии на выход канала (поддерживается ток нагрузки). На этом же интервале времени в сердечнике дросселей L5 и L6, накапливается магнитная энергия.
Дальше ток через первичную обмотку силового трансформатора прекращается как результат закрытия силового транзистора. ЕДС на вторичных обмотках исчезает. Продолжается “мертвая зона”. На этом интервале энергия, сбереженная в дросселях L5, L6 передается в конденсатор С12 и в нагрузку.
Этот ток - линейно спадающий во времени. Дальше открывается второй силовой транзистор и через первичную обмотку Т1 начинает протекать линейно нарастающий ток обратного направления. Поэтому полярность ЕДС на вторичных обмотках будет обратной: на выводе 4 позитивный, на выводе 3 негативный относительно корпуса. Поэтому на этом интервале проводником будет нижний диод в диодной сборке VD9, а ее верхний диод будет закрытым. Ток через обмотку W1, L5 и L6 опять будет линейно нарастающим и подзарядит конденсатор С12, и также будет поддерживать ток в нагрузке. Резистор R12 предназначен для быстрой разрядки конденсатора C12 и других вспомогательных емкостей после выключения ИБП для приведения всей схемы БП в первичное состояние.
Реализация канала в +3.3В кое-где отличается от реализации других каналов. Для получения напряжения в +3.3В используется обмотка на 5В, напряжение из которой преобразуется на микросхеме TL431C с навесными элементами: R17, R18, R19, R20, R21, R22, R23, VD14, C17, C18, VT3.
скачать бесплатно Блок питания для компьютера, мощностью 350Вт, форм-фактор АТХ
Содержание дипломной работы
Блок питания для компьютера
2. Анализ ТЗ.
3.1 Входные цепи.
3.2 Силовой каскад.
3.3 Выходные цепи.
3.4 Стабилизация выходных напряжений ИБП.
3.5 Схема выработки сигнала PG (Power Good).
5. Обоснование выбора элементной базы и материалов конструкции.
5.1.1 Выбор микросхем.
5.1.1.2 Выбор микросхемы - компаратор напряжений.
5.1.1.3 Выбор микросхем стабилизаторов напряжений.
5.1.1.4 Выбор микросхему усилителя ошибки.
5.1.2 Выбор резисторов.
5.1.3 Выбор конденсаторов.
5. 1.4 Выбор транзисторов.
5.1.5 Выбор диодов.
5.2 Выбор материалов конструкции.
9 Расчет теплового режима ИБП.
10 Охрана труда и окружающей среды.
10.2 Условия труда на рабочем месте.
10.5.1 Расчет естественного освещения.
10.5.2 Расчет искусственного освещения.
10.5.3 Оценка интенсивности инфракрасного излучения (ИИВ).
11.3 Определение коэффициентов весомости параметров.
11.6 Сырье и материалы.
11.8 Основная заработная плата.
11.9 Дополнительная заработная плата.
11.15 Определение цены изделия.
Список литературы.
5.1.3 Выбор конденсаторов.
5. 1.4 Выбор транзисторов.
g=NSK1