Ссылка на скачивания файла в формате .doc находится в конце странички
2.2.2 Выбор резистивного материала
Выбор материала для создания резисторов зависит от их номиналов. Так как для данной схемы Rmax/Rmin>50 ( 22kОм/0.150кОм = 146.7) необходимо использовать 2 материала.
Для создания резистора R4 (150 Ом) наиболее целесообразно использовать нихром марки Х20Н80 (ГОСТ 8803-58) Кф=3.
Тонкие пленки нихрома обладают мелкозернистой структурой, повышенными значениями удельного поверхностного сопротивления, низкими значениями температурного коэффициента поверхностного сопротивления. В качестве исходного материала используется нихром марки Х20Н80, обладающий из всех нихромов самым низким значением температурного коэффициента поверхностного сопротивления. В
зависимости от толщины пленок и условий их нанесения параметры пленочных резисторов можно регулировать в широких пределах.
Свойства пленки нихрома Х20Н80:
Для создания других резисторов наиболее целесообразно использовать кермет К-50С (ЕТО.021.013 ТУ). Кф = 2.2 (для резисторов 22кОм) и 1 (для резисторов 10кОм)
Керметные резистивные пленки содержат диэлектрическую и проводящую фазы. Эти пленки наносят методом испарения в вакууме смеси порошков металлов (Cr, Ni, Fe) и оксидов (SiO2, Nd2O3, TiO2), причем соотношение между количеством тех и других определяет основные свойства пленок. Керметные пленки обладают хорошей однородностью свойств, повышенной термостойкостью.
Свойства пленки кермета К-50С:
Материал контактных площадок и соединений — золото с подслоем хрома.
