перейти к полному списку дипломных проектов

Ссылка на скачивания файла в формате .doc находится в конце странички

3.1 Методика расчета пассивных элементов 3.1.1 Методика расчета тонкопленочных резисторов

Конструктивный расчет тонкопленочных резисторов сводится к определению формы, геометрических размеров и минимальной площади, занимаемой резисторами на подложке.

Определяем оптимальное значение сопротивления квадрата резистивной пленки:

Для реализации пленочных резисторов выбираем резистивный материал с удельным сопротивлением, близким к расчетному.

Для резисторов R1..R3,R5..R9 ((s.опт= 14.8 кОм/() наиболее целесообразно использовать резистивный материал кермет K50-C ЕТО.021.013 ТУ ((s=10 кОм/(, P0=2 Вт/см2, ТКR = -5 ( 10-4 ).

Для резистора R4 ((s опт = 150 Ом/() – нихром Х20Н80 ГОСТ 2238-58 ((s = 50 Ом/(, P0=2 Вт/см2, ТКR = -2.25 ( 10-4)

Проводим проверку правильности выбранного материала с точки зрения точности изготовления резисторов.

Точность изготовления резистора зависит от погрешности Kф ((Кф), от темпрературной погрешности ((Rt(), погрешности воспроизведения удельного сопротивления резистивной пленки (((s), от погрешности старения ((ст) и от погрешности сопротивления на переходных контактах ((Rпк):

(R = (Кф + ((s + (Rt( + (Rст + (Rпк

Погрешность Кф определяет точность геометрических размеров резистора:

(Кф = (R - ((s - (Rt( - (Rст - (Rпк

Погрешность Кф зависит от погрешности геометрических размеров:

Погрешность воспроизведения удельного сопротивления зависит от условий нанесения пленки. В условиях стандартной технологии и серийного производства, ((s= 5%.

Температурная погрешность зависит от ТКR:

(Rt( = (R (Tmax - 20(C)

Погрешность старения зависит от материала пленки, защиты и условий эксплуатации:

(Rст = 3%

Погрешность переходных контактов зависит от геометрических размеров контактных площадок и площади перекрытия их и резистивной пленки.

(Rпк = 1%

Погрешность Кф для первого материала (кермет):

(Rt( = -5 ( 10-4 (55 - 20) = -1.75%

(Кф = 30 - 5 + 1.75 -3 -1 = 22.75%

Погрешность Кф для второго материала (нихром):

(Rt( = -2.25 ( 10-4 (55 - 20) = -0.79%

(Кф = 25 - 5 + 0.79 -3 -1 = 16.79%

Определяем геометрические размеры резисторов по значению коэффициента формы.

Так как коэффициент формы лежит в пределах от 1 до 10, то наиболее оптимальной будет прямоугольная форма резистора.

bрассч ( max (bточн., bmin, bр(

Для масочного способа получения конфигурации bmin = 200мкм.

bрассч= 200 мкм

bтоп - ближайшее кратное шагу координатной сетки. При масштабе 20:1 шаг координатной сетки равен 50 мкм.

bтоп = 200 мкм

lрассч = bрассч ( Кф= 200 ( 2.2 = 440 мкм

lполн = lтоп + 2e

e = 20 мкм

lтоп = 450 мкм

lполн = 450 + 40 = 490

Определяем площадь, которую будет занимать резистор на подложке.

S = b ( lполн = 200 ( 490 = 98000 мкм

Результаты расчета резисторов при помощи программы представлены в таблице 3.

Таблица 3

Результаты расчета тонкопленочных резисторов

скачать бесплатно Микроэлектроника

Содержание дипломной работы

Микроэлектроника
1. ОБЩИЙ РАЗДЕЛ
6.4.3. Гибридные или сложные шлюзы
6.4.4. Рейтинг
6.5. Архитектуры брандмауэра
6.5.1. Хост
6.5.2. Экранированный хост
6.5.3. Экранированная подсеть
6.6. Интранет
1.2.2 Схема технологического процесса изготовления
2.1 Исходные данные к расчету
2.2 Выбор материалов и их характеристика
2.2.1 Выбор материалы подложки
2.2.2 Выбор резистивного материала
2.2.3 Выбор материала для обкладок конденсаторов и материала диэлектрика
2.2.4 Выбор материала для проводников
2.2.5 Выбор материала для защиты
2.3 Выбор и обоснование метода создания заданной конфигурации элементов
2.4 Выбор компонентов
2.5 Разработка схемы соединений
2.6 Выбор корпуса
3.1 Методика расчета пассивных элементов 3.1.1 Методика расчета тонкопленочных резисторов
3.1.2 Методика расчета тонкопленочных конденсаторов
3.2.1 Программа расчета тонкопленочных резисторов
3.2.2 Программа расчета тонкопленочных конденсаторов
3.3 Расчет площади подложки
3.4 Оценка теплового режима
ВЫВОДЫ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ